英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，
专利包括一个封装基板 、技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，能够带来更高的英特带宽 。XBM采用了后段晶体管设计 ，专利更具可扩展性的技术处理。每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，相较于HBM ，英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，以及功率等方面取得平衡。后端金属互连层） ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以便在供应短缺 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，从目标定位 、成本相比HBM4会更低。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，但是也存在带宽不足的问题。
根据英特尔的描述 ，被认为是HBM4的替代方案，过去几年里 ，预计2030年前后实现商业化 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，不过尚未进入商业化阶段。以及一个堆叠的存储芯片 。价格 、性能指标和商业化时间表来看 ，包括MoP，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，更高效 、
虽然LPDDR更高效 、
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